（原标题：越来越卷的MCU大厂）国产 拳交

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小序

MCU边界的竞争愈发尖锐化。凭证Omdia最新考虑数据，英飞凌在2024年强势崛起，成为寰球最大的MCU供应商，其市集份额攀升至21.3%，较2023年的17.8%普及了3.5个百分点。2022年，英飞凌、恩智浦和瑞萨如故比肩第一的态势，这一跃升不仅突显了英飞凌的苍劲增长势头，也为MCU市集的热烈角逐拉开了新的序幕。

在2025年3月于德国纽伦堡举办的镶嵌式宇宙大会（Embedded World 2025）上，寰球MCU大厂集体亮相，掀翻了一场时刻与市集的热烈角逐。从德州仪器（TI）、恩智浦（NXP）、Microchip，到瑞萨电子（Renesas）、英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST），各家厂商在体积、功耗、存储时刻、AI算力、先进工艺以及架构创新（尤其是RISC-V）等边界伸开全想法“内卷”，试图在快速演变的镶嵌式市集中霸占先机。这不仅是一场时刻的较量，更是对以前物联网（IoT）、汽车电子和旯旮智能趋势的潜入预判。

MCU “卷”的五大维度

1.

体积和功耗：极致微缩下的“续命”之谈

德州仪器推出的MSPM0C1104 MCU，以1.38mm2的晶圆芯片级封装（WCSP）刷新了“寰球最小MCU”记录。这款芯片仅至极于一派黑胡椒大小，却能在医疗可衣着诱骗和个东谈主电子居品中完毕高性能传感与甩手。比较竞争敌手，其封装面积缩小了38%，胜利汇报了阔绰电子边界对微型化与功能集成并重的需求。TI通过集成高速模拟功能（如12位ADC）和低至0.16好意思元的起价，试图在资本与性能之间找到黄金均衡点。

意法半导体（ST）则推出了超低功耗的STM32U3系列，凭借“近阈值芯片遐想”创新时刻，将动态功耗降至10μA/MHz，待机电流低至1.6μA，与上一代居品比较，完了提高了两倍。所谓的“近阈值时刻”可在极低电压下操作 IC 晶体管，从而检朴动力。ST 的完毕采纳“AI 初始”的晶圆级自安妥电压缩放来抵偿代工场的工艺变化。

该居品的目的市集是无需每每可贵的物联网诱骗。超低功耗MCU是物联网普及的要道，尤其在智能表计、环境监测等场景中，功耗胜利决定了居品质命周期和可贵资本。STM32U3系列的价钱也很飘逸，10000片的量价钱为1.93好意思元/片，

当下，体积与功耗的竞争已投入“微缩极限”阶段。TI的WCSP封装和ST的近阈值时刻代表了两种旅途——前者追求物理尺寸的极致，后者聚焦功耗的极致优化。这响应出末端市集对“更小、更省电”的刚需，尤其是在可衣着诱骗和物联网边界。但这种“卷”也带来了挑战：当尺寸和功耗濒临物理极限时，厂商如安在不捐躯功能的情况下督察资本上风，将是下一阶段的博弈焦点。

2.

工艺：MCU投入1X nm

MCU动作镶嵌式居品，一直皆采纳锻真金不怕火工艺制程，大皆是40nm。但是，跟着可衣着诱骗、物联网节点和汽车电子的微型化趋势，遐想东谈主员需要在更小的芯单方面积内集成更多功能和内存。举例，车规MCU需赞助复杂的软件界说汽车（SDV）架构，条款更高的规划性能和存储容量。40nm工艺已难以雀跃这些需求，迫使厂商向1X nm节点费劲。

这次镶嵌式展上，恩智浦S32K5系列率先引入16nm FinFET工艺。而在客岁3月份，ST也推出了18nm的FDSOI工艺。

不外，1X nm工艺依赖台积电、三星等顶级代工场，MCU厂商与代工巨头的绑定将加深。同期，先进制程的高研发和分娩资本（如16nm FinFET的掩模用度远超40nm）可能举高芯片单价，短期内压缩利润率。

MCU工艺一直无法突进，很大的原因是闪存拖了后腿，闪存在40nm以下彭胀时会存在问题，部分原因是存储器单位尺寸较大以及用于完毕高电压的电荷泵占用了芯单方面积。但是这个问题，也被MCU厂商们攻克了。

3.

存储：从Flash到新式存储

他们的看法是采选新式存储，但是各家似乎也有各自的“性情”，采选了多个种类的新式存储，如MRAM、PCM、FeRAM，主打一个“雨露均沾”，。

恩智浦最新推出的S32K5系列引入16nm FinFET工艺和镶嵌式磁性RAM（MRAM），台积电代工，MRAM的写入速率比传统Flash快15倍。汽车行业正向迈电气化和软件界说汽车（SDV）时间，MCU需要赞助更密集的OTA更新、更高的及时规划智商和更强式的安全性。传统Flash的写入速率慢、写入次数有限（如擦写次数世俗在10万次以下），已无法雀跃ECU（电子甩手单位）的性能需求。NXP指出，高性能MRAM的加入大大加速了ECU编程时辰，处分了传统闪存的写入瓶颈，普及了汽车电子的软件界说智商。

ST则是相变存储器（PCM）的拥泵者。PCM 的基本机制是由Stanford Robert Ovshinsky 于20世纪60年代发明的。ST 握有最初开发经由中产生的专利许可，并在此基础上接续鼓励这一创始性的责任。客岁3月份，ST与三星也推出了一款18nm FDSOI带有镶嵌式相变存储器 (PCM) 的工艺，ST首款基于该制程的STM32 MCU也将于本年量产。

PCM时刻架构（图源：ST）

TI的MSP430是基于铁电随即存取存储器（FRAM）。F-RAM、FeRAM和FRAM是同义词。德州仪器遴荐使用缩写“FRAM”。FRAM的上风在于速率、低功耗、数据可靠性、调解内存。即使在高温下，FRAM亦然一种相配康健且可靠的存储时刻。FRAM在85摄氏度下可保握数据进步10年，在25摄氏度下可保握100年，这远远进步了大无数利用的条款，体现了FRAM康健的数据保握智商。不外，TI咫尺还莫得针对汽车利用推出其镶嵌式FRAM居品，但跟着存储信号的可靠性和慎重性提高，这应该很快就会完毕。

MSP430FR57xx系列框图，其提供20种不同的器件，FRAM存储器容量高达16 kB（源头：TI）

从Flash到MRAM、PCM、FeRAM的转型不仅是存储时刻的代际跃迁，更是MCU产业顺应汽车智能化、物联网爆发和工艺极限挑战的势必遴荐。恩智浦、ST、TI各展长处，响应了厂商在性能、资本和利用场景间的衡量与博弈。

4.

卷AI和算力

旯旮AI需求的爆发让MCU从传统甩手芯片正在转向智能规划平台，因而，掀翻了一场旯旮AI的“武备竞赛”。瑞萨电子的RZ/V2N MPU集成DRP-AI加速器，提供15 TOPS的AI推感性能，目的是视觉AI市集；恩智浦S32K5的eIQ Neutron NPU则聚焦汽车旯旮传感器处理；Microchip的PIC32A系列通过64位FPU赞助tinyML部署。瑞萨和恩智浦的高算力有狡计更安妥工业和汽车场景，而Microchip的低资本AI策略则对准阔绰电子。

不仅是这些厂商，ST的STM32N6具灵验于镶嵌式推理的神经处理单位 (NPU)，这是ST最康健的MCU，可实施分割、分类和识别等任务；TI C2000诱骗中集成了 NPU，能完毕更智能的及时甩手。

这些新动向响应了，当今传统MCU的规划智商（世俗基于Cortex-M内核，几十至几百MHz）已难以移交AI责任负载（如卷积神经集会）。通过集成专用加速器（如DRP-AI、NPU）或增强FPU，厂商打破了性能瓶颈，将MCU推向更高等次的旯旮智能。在 MCU 中使用硬件加速器不错削弱主处理器的推理职守，从而留出更多时钟周期来为镶嵌式利用设施提供做事。

5.

架构：RISC-V的“新风口”

英飞凌筹划将RISC-V引入汽车MCU市集，推出基于AURIX品牌的新系列，并通过捏造原型加速生态缔造。英飞凌当今是第一家发布汽车 RISC-V 微甩手器系列的半导体供应商。瑞萨的RZ/V系列则接续深耕Arm架构，TI和ST也未明确转向RISC-V。

英飞凌汽车部门总裁 Peter Schiefer 暗示：“英飞凌死力于于让 RISC-V 成为汽车行业的灵通尺度。在软件界说汽车时间，及时性能、安全可靠的规划以及纯真性、可彭胀性和软件可移植性变得比今天愈加遑急。基于 RISC-V 的微甩手器有助于雀跃这些复杂的条款，同期辩驳汽车的复杂性并缩小上市时辰。”

RISC-V的开源特点辩驳了授权资本，并普及了软件可移植性，对软件界说趋势下的汽车行业尤为遑急。咫尺，通过联合企业 Quintauris，英飞凌一直与半导体行业其他最初企业协调，加速基于 RISC-V 的居品的工业化。

这场MCU的“内卷”中，各大厂商的政策显豁可见：TI以资本优化和微型化切入阔绰电子，MSPM0系列起价仅0.16好意思元，对准高性价比市集；恩智浦聚焦汽车SDV，通过16nm+MRAM+S32K5的高端组合霸占时刻制高点；Microchip以PIC32A的丰富外设和低资本AI智商安稳智能传感边界；瑞萨：通过DRP-AI和高性能MPU锁定视觉AI市集，兼顾工业与汽车；英飞凌押注RISC-V，布局汽车以前十年，开辟新赛谈；ST：双线并进，STM32WBA6强化无线物联网，STM32U3主攻超低功耗场景。

MCU的以前趋势

MCU新址品的演进背后，折射出市集需求的潜入变革。阔绰者对微型化、多功能电子诱骗（如电动牙刷、可衣着医疗诱骗）的期待，正驱使MCU厂商在极限遐想上伸开热烈角逐。同期，汽车电气化和物联网的爆发为高端MCU开辟了新蓝海。跟着市集需求的分化，厂商间的居品定位和竞争表情将进一步拉开差距。

起先，RISC-V会成为新王者吗？英飞凌的RISC-V布局能否撼动Arm的霸主地位，取决于生态锻真金不怕火度和汽车厂商的接受度。RISC-V用于MCU，不是极新事。客岁，瑞萨推出业界首款基于RISC-V的通用32位MCU R9A02G021系列。国内的兆易创新、秦恒微电子、全志科技等也在基于RISC-V研发MCU。跟着越来越多的MCU厂商拥RISC-V，MCU将成为MCU的又一个遑急市集。Yole Group摩尔定律业务线规划与软件首席分析师Tom Hackenberg暗示：“到2029年底，RISC-V预测会占据统统这个词MCU市集的10%，而且具有宽敞的增长后劲。”

其次，AI算力“卷”到何时？东谈主工智能彰着是 MCU 演进的下一个紧要事件。现时15TOPS的算力竞赛仅仅早先。AI时间下的MCU，照旧与MPU的界限越来越浑沌了，高算力MCU（如RZ/V2N的15 TOPS）已接近低端MPU的性能，功能上从甩手蔓延至推理和决策。这可能重塑镶嵌式系统的硬件选型逻辑，MCU若能在旯旮智能中占据主导，或将挤压低端MPU的市集空间。

再者，存储时刻改进的临界点，MRAM、PCM、FeRAM等新式存储的打破是否会激勉Flash的淘汰？资本下落和工艺锻真金不怕火将是要道变量。以前，若新式存储时刻完毕资本打破，Flash或将退步低端市集，而高端MCU将迎来存储时刻的大洗牌。

结语

2025年的MCU大战不仅是时刻的“卷”，更是厂商对以前市集的政策博弈。从TI的“黑胡椒”到恩智浦的MRAM，从瑞萨的AI加速器到英飞凌的RISC-V，每一步创新皆在再行界说镶嵌式系统的可能性。关于工程师和企业而言，遴荐合适的MCU不再仅仅时刻决策，而是关乎资本、生态和以前竞争力的笼统考量。然则，MCU的这场“内卷”远未收尾。

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